PCB EMI設(shè)計(jì)規(guī)范步驟

在PCB設(shè)計(jì)中最常見的問(wèn)題就是信號(hào)線跨越分割地或電源而產(chǎn)生EMI問(wèn)題。為規(guī)避這種EMI問(wèn)題下面深亞電子就為大家介紹一下PCB設(shè)計(jì)中EMI設(shè)計(jì)的規(guī)范步驟。

一、IC的電源處理

保證每個(gè)IC的電源PIN都有一個(gè)0.1UF的去耦電容，對(duì)于BGA CHIP，要求在BGA的四角分別有0.1UF、0.01UF的電容共8個(gè)。對(duì)走線的電源尤其要注意加濾波電容，如VTT等。這不僅對(duì)穩(wěn)定性有影響，對(duì)EMI 也有很大的影響。

二、時(shí)鐘線的處理

1.建議先走時(shí)鐘線。

2.頻率大于等于66M的時(shí)鐘線，每條過(guò)孔數(shù)不要超過(guò)2個(gè)，平均不得超過(guò)1.5個(gè)。

3.頻率小于66M的時(shí)鐘線，每條過(guò)孔數(shù)不要超過(guò)3個(gè)，平均不得超過(guò)2.5個(gè)

4.長(zhǎng)度超過(guò)12inch的時(shí)鐘線，如果頻率大于20M，過(guò)孔數(shù)不得超過(guò)2個(gè)。

5.如果時(shí)鐘線有過(guò)孔，在過(guò)孔的相鄰位置，在第二層（地層）和第三層（電源層）之間加一個(gè)旁路電容、如圖2.5-1所示，以確保時(shí)鐘線換層后，參考層（相鄰層）的高頻電流的回路連續(xù)。旁路電容所在的電源層必須是過(guò)孔穿過(guò)的電源層，并盡可能地靠近過(guò)孔，旁路電容與過(guò)孔的間距最大不超過(guò)300MIL。

6.所有時(shí)鐘線原則上不可以穿島。下面列舉了穿島的四種情形。

6.1 跨島出現(xiàn)在電源島與電源島之間。此時(shí)時(shí)鐘線在第四層的背面走線，第三層(電源層)有兩個(gè)電源島，且第四層的走線必須跨過(guò)這兩個(gè)島.

6.2 跨島出現(xiàn)在電源島與地島之間。此時(shí)時(shí)鐘線在第四層的背面走線，第三層(電源層)的一個(gè)電源島中間有一塊地島，且第四層的走線必須跨過(guò)這兩個(gè)島。

6.3 跨島出現(xiàn)在地島與地層之間。此時(shí)時(shí)鐘線在第一層走線，第二層(地層)的中間有一塊地島，且第一層的走線必須跨過(guò)地島，相當(dāng)于地線被中斷。

6.4 時(shí)鐘線下面沒有鋪銅。若條件限制實(shí)在做不到不穿島，保證頻率大于等于66M的時(shí)鐘線不穿島，頻率小于66M的時(shí)鐘線若穿島，必須加一個(gè)去耦電容形成鏡像通路。以圖6.1為例，在兩個(gè)電源島之間并靠近跨島的時(shí)鐘線，放置一個(gè)0.1UF的電容。

7.當(dāng)面臨兩個(gè)過(guò)孔和一次穿島的取舍時(shí)，選一次穿島。

8.時(shí)鐘線要遠(yuǎn)離I/O一側(cè)板邊500MIL以上，并且不要和I/O線并行走，若實(shí)在做不到，時(shí)鐘線與I/O 口線間距要大于50MIL。

9.時(shí)鐘線走在第四層時(shí)，時(shí)鐘線的參考層（電源平面）應(yīng)盡量為時(shí)鐘供電的那個(gè)電源面上，以其他電源面為參考的時(shí)鐘越少越好，另外，頻率大于等于66M的時(shí)鐘線參考電源面必須為3.3V電源平面。

10.時(shí)鐘線打線時(shí)線間距要大于25MIL。

11.時(shí)鐘線打線時(shí)進(jìn)去的線和出去的線應(yīng)該盡量遠(yuǎn)。盡量避免類似圖A和圖C所示的打線方式，若時(shí)鐘線需換層，避免采用圖E的打線方式，采用圖F的打線方式。

12.時(shí)鐘線連接BGA等器件時(shí)，若時(shí)鐘線換層，盡量避免采用圖G的走線形式,過(guò)孔不要在BGA下面走,最好采用圖H的走線形式。

13.注意各個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，不要忽略任何一個(gè)時(shí)鐘，包括AUDIO CODEC的AC_BITCLK，尤其注意的是FS3-FS0,雖然說(shuō)從名稱上看不是時(shí)鐘，但實(shí)際上跑的是時(shí)鐘，要加以注意。

14.Clock Chip上拉下拉電阻盡量靠近Clock Chip。